STP10LN80K5

功能描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

制造商:stmicroelectronics

系列:MDmesh??

包装:管件

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):800V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):630 毫欧 @ 4A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):427pF @ 100V

功率 - 最大值:110W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220

标准包装:50

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